Vishay SISS Type P-Channel MOSFET, 59.2 A, 40 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS4409DN-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 635,00 €

(TVA exclue)

1 977,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 6 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,545 €1 635,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
279-9987
Référence fabricant:
SISS4409DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

59.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

SISS

Package Type

1212-8S

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.009Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

126nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

New generation power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Ultra low RDS x Qg FOM product

Fully lead (Pb)-free device

Liens connexes