Vishay SI Type N-Channel MOSFET, 17 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4190BDY-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 4 unités)*

10,692 €

(TVA exclue)

12,936 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 4 980 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
4 - 562,673 €10,69 €
60 - 962,508 €10,03 €
100 - 2362,235 €8,94 €
240 - 9962,193 €8,77 €
1000 +2,15 €8,60 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
279-9895
Référence fabricant:
SI4190BDY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

17A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SI

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.093Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

8.4W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

95nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Liens connexes