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Vishay SI N-Channel MOSFET, 17 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4190BDY-T1-GE3

N° de stock RS:: 279-9894
Référence fabricant:: SI4190BDY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SI N-Channel MOSFET, 17 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4190BDY-T1-GE3

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

2 647,50 €

(TVA exclue)

3 202,50 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 +	1,059 €	2 647,50 €

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N° de stock RS:: 279-9894
Référence fabricant:: SI4190BDY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	17A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	SO-8
	Series	SI
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.093Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	8.4W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	95nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 17A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type SO-8
	Series SI
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.093Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 8.4W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 95nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SI4190BDY-T1-GE3

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

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