Infineon OptiMOS-TM3 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V N, 3-Pin PG-TO-220 IPP086N10N3GXKSA1

Offre groupée disponible

Sous-total (1 tube de 50 unités)*

36,25 €

(TVA exclue)

43,85 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 450 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
50 - 500,725 €36,25 €
100 +0,581 €29,05 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-7466
Référence fabricant:
IPP086N10N3GXKSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PG-TO-220

Series

OptiMOS-TM3

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

N

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.5mm

Width

40 mm

Length

40mm

Standards/Approvals

IEC61249-2-21, JEDEC1

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is ideal for high frequency switching and synchronous rectification. This MOSFET is qualified according to JEDEC1 for target application. It is a N channel MOSFET and halogen free according to IEC61249 2 21.

Pb free lead plating

RoHS compliant

Excellent gate charge

Very low on resistance

Liens connexes