Infineon OptiMOS-TM3 Type N-Channel MOSFET, 18 A, 100 V N, 8-Pin PG-TDSON-8 BSZ440N10NS3GATMA1

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

1 005,00 €

(TVA exclue)

1 215,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 5 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +0,201 €1 005,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
258-7030
Référence fabricant:
BSZ440N10NS3GATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PG-TDSON-8

Series

OptiMOS-TM3

Mount Type

Through Hole

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

44mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

29W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.8nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS 3 power transistor offers superior solutions for high efficiency and high power density SMPS. Compared to the next best technology this product achieves a reduction of 30 percent in both Rds on and FOM.

Excellent switching performance

Worlds lowest RDS on

RoHS compliant halogen free

MSL1 rated 2


Liens connexes