Infineon ISP Type P-Channel P-Channel, 1.9 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-SOT223 ISP26DP06NMSATMA1
- N° de stock RS:
- 273-3041
- Référence fabricant:
- ISP26DP06NMSATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
471,00 €
(TVA exclue)
570,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 29 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,157 € | 471,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-3041
- Référence fabricant:
- ISP26DP06NMSATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | ISP | |
| Package Type | PG-SOT223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 260mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series ISP | ||
Package Type PG-SOT223 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 260mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.8nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon P-channel MOSFET in normal and logic level, reducing design complexity in medium and low power applications.
Easy interface to MCU
Fast switching
Avalanche ruggedness
Liens connexes
- Infineon P-Channel MOSFET ISP26DP06NMSATMA1
- Infineon P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 ISP25DP06LMXTSA1
- Infineon P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 ISP25DP06NMXTSA1
- Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 BSP170PH6327XTSA1
- Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 BSP171PH6327XTSA1
- Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET Transistor 60 V, 3-Pin SOT-223 BSP171PH6327XTSA1
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor, 120 mA PG-SOT223 BSP135H6906XTSA1
- Infineon P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin DPAK IPD650P06NMATMA1
