Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 183 A, 75 V Enhancement, 3-Pin

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273-3032
Référence fabricant:
IRFS7734TRLPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

183A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

270nC

Maximum Power Dissipation Pd

290W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, Lead-Free

The Infineon single N-channel HEXFET power MOSFET in a D2-Pak package is optimized for broadest availability from distribution partners.

Product qualification according to JEDEC standard

Softer body diode compared to previous silicon generation

Industry standard surface-mount power package

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