Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 183 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- N° de stock RS:
- 273-3032
- Référence fabricant:
- IRFS7734TRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
2,18 €
(TVA exclue)
2,64 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 798 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 1,09 € | 2,18 € |
| 10 - 48 | 1,06 € | 2,12 € |
| 50 - 98 | 1,03 € | 2,06 € |
| 100 - 248 | 1,01 € | 2,02 € |
| 250 + | 0,985 € | 1,97 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-3032
- Référence fabricant:
- IRFS7734TRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 183A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 290W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 270nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, Lead-Free | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 183A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 290W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 270nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, Lead-Free | ||
The Infineon single N-channel HEXFET power MOSFET in a D2-Pak package is optimized for broadest availability from distribution partners.
Product qualification according to JEDEC standard
Softer body diode compared to previous silicon generation
Industry standard surface-mount power package
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin IRFS7734TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-220 IRFB7734PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF2807ZPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF2807ZSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin IPAK