Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 183 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- N° de stock RS:
- 273-3032
- Référence fabricant:
- IRFS7734TRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 273-3032
- Référence fabricant:
- IRFS7734TRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 183A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 270nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 290W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, Lead-Free | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 183A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 270nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 290W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, Lead-Free | ||
The Infineon single N-channel HEXFET power MOSFET in a D2-Pak package is optimized for broadest availability from distribution partners.
Product qualification according to JEDEC standard
Softer body diode compared to previous silicon generation
Industry standard surface-mount power package
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