Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 331 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT014N08NM5ATMA1

Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

5,94 €

(TVA exclue)

7,19 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 100 unité(s) expédiée(s) à partir du 22 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 495,94 €
50 - 995,40 €
100 - 2494,94 €
250 - 9994,56 €
1000 +4,24 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-2792
Référence fabricant:
IPT014N08NM5ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

331A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

IPT

Package Type

PG-HSOF-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

160nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
MY
The Infineon MOSFET is a N channel 80 V MOSFET and optimized for battery powered applications. It is qualified according to JEDEC for target applications. This MOSFET is fully qualified according to JEDEC for industrial applications and halogen free according to IEC61249 2 21.

RoHS compliant

Pb free lead plating

Excellent gate charge

Very low on resistance

100 percent avalanche tested

Liens connexes