Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel Power MOSFET, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON-8-4
- N° de stock RS:
- 273-2628
- Référence fabricant:
- BSC076N04NDATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
8,64 €
(TVA exclue)
10,455 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 90 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,728 € | 8,64 € |
| 50 - 495 | 1,572 € | 7,86 € |
| 500 - 995 | 1,234 € | 6,17 € |
| 1000 - 2495 | 1,21 € | 6,05 € |
| 2500 + | 1,18 € | 5,90 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-2628
- Référence fabricant:
- BSC076N04NDATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | OptiMOS-T2 | |
| Package Type | TDSON-8-4 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series OptiMOS-T2 | ||
Package Type TDSON-8-4 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon Power MOSFET is a N channel 40 V power MOSFET. This MOSFET optimized for drives applications and it is 100 percent avalanche tested. It is qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47 20 2.
Halogen free
RoHS compliant
Pb free lead plating
Fast switching MOSFETs
Superior thermal resistance
Liens connexes
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON-8-4 BSC076N04NDATMA1
- Infineon Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N04S4L08AATMA1
- Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG16N10S461AATMA1
- Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S436AATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON