Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel Power MOSFET, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON-8-4 BSC076N04NDATMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

2 045,00 €

(TVA exclue)

2 475,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 13 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +0,409 €2 045,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-2627
Référence fabricant:
BSC076N04NDATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TDSON-8-4

Series

OptiMOS-T2

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

65W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Automotive Standard

No

The Infineon Power MOSFET is a N channel 40 V power MOSFET. This MOSFET optimized for drives applications and it is 100 percent avalanche tested. It is qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47 20 2.

Halogen free

RoHS compliant

Pb free lead plating

Fast switching MOSFETs

Superior thermal resistance

Liens connexes