Vishay SQJQ936E 4 Dual N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ936E-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 268-8367
- Référence fabricant:
- SQJQ936E-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 1,293 € | 2 586,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 268-8367
- Référence fabricant:
- SQJQ936E-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Dual N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | SQJQ936E | |
| Package Type | PowerPAK (8x8L) | |
| Mount Type | PCB | |
| Pin Count | 4 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 40 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested | |
| Number of Elements per Chip | 4 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Dual N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series SQJQ936E | ||
Package Type PowerPAK (8x8L) | ||
Mount Type PCB | ||
Pin Count 4 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 40 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested | ||
Number of Elements per Chip 4 | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay automotive dual N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is lead Pb and halogen free device with single configuration MOSFET and It is independent of operating temperature.
AEC Q101 qualified
ROHS compliant
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