Vishay SQ4401CEY Type P-Channel MOSFET, 17.3 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQ4401CEY-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 268-8354
- Référence fabricant:
- SQ4401CEY-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
982,50 €
(TVA exclue)
1 190,00 €
(TVA incluse)
Ajouter 2500 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 20 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,393 € | 982,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 268-8354
- Référence fabricant:
- SQ4401CEY-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | SQ4401CEY | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.025Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | -1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 71nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 7.14W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series SQ4401CEY | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.025Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf -1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 71nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 7.14W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay automotive P channel TrenchFET power MOSFET is lead Pb and halogen free device with single configuration MOSFET and It is independent of operating temperature.
AEC Q101 qualified
ROHS compliant
Liens connexes
- Vishay SQ4401CEY Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQ4401CEY-T1_GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ415EP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ147ELP-T1_GE3
- Vishay SQ4917CEY 4 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQ4917CEY-T1_GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ481EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ431AEP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ211ELP-T1_GE3
- Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N 30 A 8-Pin SO-8 SQJ504EP-T1_GE3