Vishay SQ Type N-Channel MOSFET, 7.8 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3456CEV-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 268-8353
- Référence fabricant:
- SQ3456CEV-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 25 unités)*
11,35 €
(TVA exclue)
13,725 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Informations sur le stock actuellement non accessibles
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,454 € | 11,35 € |
| 50 - 75 | 0,445 € | 11,13 € |
| 100 - 225 | 0,338 € | 8,45 € |
| 250 - 975 | 0,332 € | 8,30 € |
| 1000 + | 0,213 € | 5,33 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 268-8353
- Référence fabricant:
- SQ3456CEV-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | TSOP-6 | |
| Series | SQ | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.054Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 4W | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 3.05mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type TSOP-6 | ||
Series SQ | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.054Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 4W | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 3.05mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay automotive N channel TrenchFET power MOSFET is lead Pb and halogen free device with single configuration MOSFET and surface mount type device. It is independent of operating temperature.
AEC Q101 qualified
ROHS compliant
Liens connexes
- Vishay SQ Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3456CEV-T1_GE3
- Vishay SQ Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3426CEV-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP SQ3460EV-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3419EV-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6
- Vishay SQ Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2348CES-T1_GE3
- Vishay SQ3481CEV Type P-Channel Single MOSFETs -30 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3481CEV-T1_GE3
