Vishay SiR Type N-Channel MOSFET, 73 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR184LDP-T1-RE3
- N° de stock RS:
- 268-8331
- Référence fabricant:
- SIR184LDP-T1-RE3
- Fabricant:
- Vishay
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- Fabricant:
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Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 73A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SiR | |
| Package Type | PowerPAK SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0058Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 62.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 5.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 73A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SiR | ||
Package Type PowerPAK SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0058Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 62.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 5.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive switch, battery and load switch.
Very low figure of merit
ROHS compliant
UIS tested 100 percent
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