ROHM RF4P060BG Type N-Channel MOSFET, 6 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HUML2020L8 RF4P060BGTCR

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266-3857
Référence fabricant:
RF4P060BGTCR
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

RF4P060BG

Package Type

HUML2020L8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

53mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ROHM power MOSFET with low-on resistance and high power small mould package, suitable for switching.

Pb free plating

RoHS compliant

Halogen free

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