ROHM UT6 2 Type N-Channel MOSFET, 100 V Enhancement, 8-Pin HUML2020L8 UT6KE5TCR

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250 - 4750,259 €6,48 €
500 - 9750,238 €5,95 €
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264-564
Référence fabricant:
UT6KE5TCR
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

HUML2020L8

Series

UT6

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

207mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.8nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The ROHM 100V 2.0A dual N-channel power MOSFET in a DFN2020-8D package features low on-resistance, making it ideal for switching applications and DC/DC converters. It integrates two 100V MOSFETs in a compact surface-mount design.

Low on-resistance

Small Surface Mount Package

Pb-free plating and RoHS compliant

Halogen Free

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