ROHM Type P, Type N-Channel MOSFET, 4 A, 30 V HUML2020L8 UT6MA2TCR
- N° de stock RS:
- 244-0139
- Référence fabricant:
- UT6MA2TCR
- Fabricant:
- ROHM
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|---|---|---|
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- Fabricant:
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Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | Type P, Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | HUML2020L8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 70mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type Type P, Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type HUML2020L8 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Rohm MOSFET is small surface mount package which is suitable for switching application. It has storage temperature range of -55°C to 155°C and it comes with pack of 3000 units.
Low on-resistance
Small Surface Mount Package
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Halogen Free
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