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ROHM RA1C030LD N-Channel MOSFET, 3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SMM1006 RA1C030LDT5CL

N° de stock RS:: 265-5427
Référence fabricant:: RA1C030LDT5CL
Fabricant:: ROHM

ROHM RA1C030LD N-Channel MOSFET, 3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SMM1006 RA1C030LDT5CL

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 265-5427
Référence fabricant:: RA1C030LDT5CL
Fabricant:: ROHM

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	ROHM
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	RA1C030LD
	Package Type	SMM1006
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	140mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-0.2V, 7V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.5nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	Pb-free lead plating, RoHS
	Automotive Standard	No

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	Marque ROHM
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series RA1C030LD
	Package Type SMM1006
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 140mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -0.2V, 7V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.5nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals Pb-free lead plating, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - RA1C030LDT5CL

The ROHM MOSFETs with a low on resistance and high power package which is suitable for switching circuits, single cell battery applications and mobile applications. It is mounted on a cu board as well as it is halogen free.

Low on resistance

High power small package

Pb free lead plating

Halogen free

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