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ROHM RUR020N02 N-Channel MOSFET, 2 A, 20 V Enhancement, 3-Pin TSMT RUR020N02TL

N° de stock RS:: 124-6841
Référence fabricant:: RUR020N02TL
Fabricant:: ROHM

ROHM RUR020N02 N-Channel MOSFET, 2 A, 20 V Enhancement, 3-Pin TSMT RUR020N02TL

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N° de stock RS:: 124-6841
Référence fabricant:: RUR020N02TL
Fabricant:: ROHM

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	ROHM
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	TSMT
	Series	RUR020N02
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	240mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	2nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-10V, +10V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	950μm
	Width	1.8mm
	Standards/Approvals	No
	Length	3mm
	Automotive Standard	No

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	Marque ROHM
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type TSMT
	Series RUR020N02
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 240mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -10V, +10V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 950μm
	Width 1.8mm
	Standards/Approvals No
	Length 3mm
	Automotive Standard No

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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