Renesas Electronics NP100P06PDG Type P-Channel MOSFET, 100 A, 60 V P, 4-Pin MP-25ZP (TO-263) NP100P06PDG-E1-AY

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264-1239
Référence fabricant:
NP100P06PDG-E1-AY
Fabricant:
Renesas Electronics
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Marque

Renesas Electronics

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

NP100P06PDG

Package Type

MP-25ZP (TO-263)

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.1mΩ

Channel Mode

P

Forward Voltage Vf

1.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

200W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

300nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
MY
The Renesas Electronics provides a low voltage power with P-channel type MOS Field Effect Transistor which is designed for high current switching applications. It consist of a 100 A maximum drain current.

Maximum drain source voltage is 60 V

Mounting type is surface mount

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