Renesas Electronics NP100P06PDG Type P-Channel MOSFET, 100 A, 60 V P, 4-Pin MP-25ZP (TO-263) NP100P06PDG-E1-AY

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 tube de 800 unités)*

2 608,80 €

(TVA exclue)

3 156,80 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 09 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
800 +3,261 €2 608,80 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
264-1238
Référence fabricant:
NP100P06PDG-E1-AY
Fabricant:
Renesas Electronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Renesas Electronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

MP-25ZP (TO-263)

Series

NP100P06PDG

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.1mΩ

Channel Mode

P

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

200W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

300nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
MY
The Renesas Electronics provides a low voltage power with P-channel type MOS Field Effect Transistor which is designed for high current switching applications. It consist of a 100 A maximum drain current.

Maximum drain source voltage is 60 V

Mounting type is surface mount

Liens connexes