Références fabricant

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 3.2 A, 30 V Enhancement, 6-Pin Micro6

N° de stock RS:: 262-6785
Référence fabricant:: IRLMS1503TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 3.2 A, 30 V Enhancement, 6-Pin Micro6

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N° de stock RS:: 262-6785
Référence fabricant:: IRLMS1503TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	HEXFET
	Package Type	Micro6
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	200mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6.4nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.7W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series HEXFET
	Package Type Micro6
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 200mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.4nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.7W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRLMS1503TRPBF

The Infineon power MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It is combined with the fast switching speed and ruggedized device design that power MOSFET well known for, provide the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Ultra low Rds

N-channel

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