Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 29 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFZ34NSTRLPBF

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

6,73 €

(TVA exclue)

8,14 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 280 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
  • Plus 800 unité(s) expédiée(s) à partir du 04 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 900,673 €6,73 €
100 - 2400,641 €6,41 €
250 - 4900,626 €6,26 €
500 - 9900,586 €5,86 €
1000 +0,545 €5,45 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
262-6784
Numéro d'article Distrelec:
304-41-681
Référence fabricant:
IRFZ34NSTRLPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has features such as 175°C operating temperature, fast switching speed.

Fully avalanche rated

Liens connexes