Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 187 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB018N06NF2SATMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

9,80 €

(TVA exclue)

11,85 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 790 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 201,96 €9,80 €
25 - 451,764 €8,82 €
50 - 1201,646 €8,23 €
125 - 2451,528 €7,64 €
250 +1,41 €7,05 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
262-5855
Référence fabricant:
IPB018N06NF2SATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

187A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

Liens connexes