Infineon iPB N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB013N06NF2SATMA1
- N° de stock RS:
- 262-5848
- Référence fabricant:
- IPB013N06NF2SATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 262-5848
- Référence fabricant:
- IPB013N06NF2SATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 190A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | iPB | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.15mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 190A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series iPB | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.15mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Halogen free according to IEC61249-2-21
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