Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB013N06NF2SATMA1

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N° de stock RS:
262-5848
Référence fabricant:
IPB013N06NF2SATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

190A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

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