Infineon EiceDRIVER Type N-Channel MOSFET Enhancement, 24-Pin DSO
- N° de stock RS:
- 262-5811
- Référence fabricant:
- 6ED2231S12TXUMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 3,84 € | 3 840,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 262-5811
- Référence fabricant:
- 6ED2231S12TXUMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Package Type | DSO | |
| Series | EiceDRIVER | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 24 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.3W | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 17.9mm | |
| Height | 2.65mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Package Type DSO | ||
Series EiceDRIVER | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 24 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.3W | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 17.9mm | ||
Height 2.65mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon high voltage, high speed power IGBT or SiC MOSFET gate driver with three independent high side and low side referenced output channels for three phase applications.
Infineon thin film SOI technology
Integrated ultra fast bootstrap diode
Floating channel designed
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