Infineon EiceDRIVER Type N-Channel MOSFET Enhancement, 24-Pin DSO
- N° de stock RS:
- 262-5811
- Référence fabricant:
- 6ED2231S12TXUMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 3,84 € | 3 840,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 262-5811
- Référence fabricant:
- 6ED2231S12TXUMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Series | EiceDRIVER | |
| Package Type | DSO | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 24 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.3W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.65mm | |
| Length | 17.9mm | |
| Width | 7.5 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Series EiceDRIVER | ||
Package Type DSO | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 24 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.3W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.65mm | ||
Length 17.9mm | ||
Width 7.5 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon high voltage, high speed power IGBT or SiC MOSFET gate driver with three independent high side and low side referenced output channels for three phase applications.
Infineon thin film SOI technology
Integrated ultra fast bootstrap diode
Floating channel designed
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