STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 10 A, 800 V Enhancement, 7-Pin Tape & Reel SCT040HU65G3AG

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261-5040
Référence fabricant:
SCT040HU65G3AG
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

Tape & Reel

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

39.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

14 mm

Length

18.58mm

Height

3.5mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
JP
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

AEC-Q101 qualified

Very low RDS(on) over the entire temperature range

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

Source sensing pin for increased efficiency

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