STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 7-Pin Tape & Reel

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 600 unités)*

5 949,00 €

(TVA exclue)

7 198,20 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 04 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
600 - 6009,915 €5 949,00 €
1200 +9,667 €5 800,20 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
261-5041
Référence fabricant:
SCT055HU65G3AG
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

Tape & Reel

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

18.58mm

Height

3.5mm

Standards/Approvals

No

Width

14 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
MA

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package


The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

AEC-Q101 qualified

Very low RDS(on) over the entire temperature range

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

Source sensing pin for increased efficiency

Liens connexes