Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 202 A, 40 V, 3-Pin TO-220 AUIRF1404

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260-5057
Référence fabricant:
AUIRF1404
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

202A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-220

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4mΩ

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

333W

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.83mm

Standards/Approvals

No

Length

16.51mm

Width

10.67 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon HEXFET Power MOSFET is specifically design for automotive applications. This power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.

Advanced process technology

Ultra low on resistance

Fast switching

Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

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