Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A, 60 V N TO-263
- N° de stock RS:
- 259-1540
- Référence fabricant:
- IPB014N06NATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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| 1000 + | 2,186 € | 2 186,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 259-1540
- Référence fabricant:
- IPB014N06NATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 180A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | iPB | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Mode | N | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
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|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 180A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series iPB | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Mode N | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon optimos 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make optimos 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, Datacom and telecom applications. Available in half bridge configuration (power stage 5x6).
N-channel enhancement mode
AEC qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green product (RoHS compliant)
Ultra low Rds(on)
100% avalanche tested
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