Infineon SPD15P10P Type P-Channel MOSFET, 15 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SPD15P10PLGBTMA1

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258-7790
Référence fabricant:
SPD15P10PLGBTMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

15A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SPD15P10P

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.20Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

230W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

47nC

Forward Voltage Vf

-0.96V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC Q101, Pb-free lead plating, RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon SIPMOS power transistor belongs to highly innovative OptiMOS family P channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on state resistance and figure of merit characteristics.

Enhancement mode

Avalanche rated

Pb free lead plating

RoHS compliant

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