Infineon Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V PG-TO263-3 IPB180N04S400ATMA1
- N° de stock RS:
- 258-7759
- Référence fabricant:
- IPB180N04S400ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 258-7759
- Référence fabricant:
- IPB180N04S400ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 180A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PG-TO263-3 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC, MSL1, RoHS | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 180A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PG-TO263-3 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC, MSL1, RoHS | ||
The Infineon OptiMOS has lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It also has optimized total gate charge which enables smaller driver output stages.
AEC qualified
Green product
Ultra low Rds on
100 percent avalanche tested
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