Infineon N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V PG-TO263-3 IPB180N04S400ATMA1
- N° de stock RS:
- 258-7759
- Référence fabricant:
- IPB180N04S400ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 25 de plus pour économiser 16%
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 1 unité)*
4,55 €
(TVA exclue)
5,51 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 495 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Paquet(s) | le paquet | Économie |
|---|---|---|
| 1 - 24 | 4,55 € | - |
| 25 - 49 | 3,78 € | 16% |
| 50 - 124 | 3,35 € | 26% |
| 125 - 499 | 3,17 € | 30% |
| 500 + | 2,75 € | 39% |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-7759
- Référence fabricant:
- IPB180N04S400ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 180A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PG-TO263-3 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC, MSL1, RoHS | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 180A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PG-TO263-3 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC, MSL1, RoHS | ||
The Infineon OptiMOS has lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It also has optimized total gate charge which enables smaller driver output stages.
AEC qualified
Green product
Ultra low Rds on
100 percent avalanche tested
Liens connexes
- Infineon N-Channel MOSFET 40 V PG-TO263-3 IPB180N04S400ATMA1
- Infineon AIMBG75R N-Channel MOSFET 750 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R050M2HXTMA1
- Infineon AIMBG75R N-Channel MOSFET 750 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R033M2HXTMA1
- Infineon AIMBG75R N-Channel MOSFET 750 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R060M2HXTMA1
- Infineon AIMBG75R N-Channel MOSFET 750 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R007M2HXTMA1
- Infineon AIMBG75R N-Channel MOSFET 750 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R025M2HXTMA1
- Infineon AIMBG75R N-Channel MOSFET 750 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R040M2HXTMA1
- Infineon IMB N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG120R040M2HXTMA1
