Infineon N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V PG-TO263-3 IPB180N04S400ATMA1
- N° de stock RS:
- 258-7073
- Référence fabricant:
- IPB180N04S400ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
1 728,00 €
(TVA exclue)
2 091,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 25 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,728 € | 1 728,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-7073
- Référence fabricant:
- IPB180N04S400ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 180A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PG-TO263-3 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC, MSL1, RoHS | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 180A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PG-TO263-3 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC, MSL1, RoHS | ||
The Infineon OptiMOS has lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It also has optimized total gate charge which enables smaller driver output stages.
AEC qualified
Green product
Ultra low Rds on
100 percent avalanche tested
Liens connexes
- Infineon N-Channel MOSFET 40 V PG-TO263-3 IPB180N04S400ATMA1
- Infineon AIMBG75R N-Channel MOSFET 750 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R050M2HXTMA1
- Infineon AIMBG75R N-Channel MOSFET 750 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R033M2HXTMA1
- Infineon AIMBG75R N-Channel MOSFET 750 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R060M2HXTMA1
- Infineon AIMBG75R N-Channel MOSFET 750 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R007M2HXTMA1
- Infineon AIMBG75R N-Channel MOSFET 750 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R025M2HXTMA1
- Infineon AIMBG75R N-Channel MOSFET 750 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R040M2HXTMA1
- Infineon IMB N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG120R040M2HXTMA1