Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V N TDSON

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

757,50 €

(TVA exclue)

917,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 30 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,303 €757,50 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
258-7080
Référence fabricant:
IPD30N03S2L20ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

TDSON

Series

IPD

Mount Type

Surface

Channel Mode

N

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power transistor has lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It has optimized total gate charge enables smaller driver output stage. It also has robust packages with superior quality and reliability.

Automotive AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260 degree C peak reflow

175 degree C operating temperature

Green Package

100 percent Avalanche tested

Liens connexes