Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 61 A, 55 V TO-252 IRLR3915TRPBF
- N° de stock RS:
- 258-3999
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-553
- Référence fabricant:
- IRLR3915TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
3,17 €
(TVA exclue)
3,836 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 1 472 unité(s) expédiée(s) à partir du 26 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,585 € | 3,17 € |
| 20 - 48 | 1,445 € | 2,89 € |
| 50 - 98 | 1,345 € | 2,69 € |
| 100 - 198 | 1,25 € | 2,50 € |
| 200 + | 1,16 € | 2,32 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-3999
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-553
- Référence fabricant:
- IRLR3915TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 61A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 17mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 120W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 61nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 61A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 17mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 120W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 61nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon HEXFET power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this product are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Fast Switching
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-252 IRLR3705ZTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-252 IRFR2405TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-252 IRFR024NTRPBF
