Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 61 A, 55 V TO-252 IRLR3915TRPBF

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258-3999
Numéro d'article Distrelec:
304-40-553
Référence fabricant:
IRLR3915TRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

61A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

17mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

120W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

61nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this product are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Fast Switching

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