Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 56 A, 55 V TO-252 IRFR2405TRLPBF

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258-3984
Référence fabricant:
IRFR2405TRLPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

56A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

HEXFET

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

16mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

70nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon R MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications. The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

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