Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 62 A, 55 V, 3-Pin TO-252

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 809,00 €

(TVA exclue)

2 190,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 15 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,603 €1 809,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
218-3112
Référence fabricant:
IRFR48ZTRLPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

62A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

11mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

60nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

91W

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

6.22mm

Length

6.73mm

Width

2.39 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET series single N-Channel power MOSFET. This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

Ultra Low On-Resistance

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Lead free

Liens connexes