Références fabricant

Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263

N° de stock RS:: 258-3814
Référence fabricant:: IPB80P04P407ATMA2
Fabricant:: Infineon

Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 258-3814
Référence fabricant:: IPB80P04P407ATMA2
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TO-263
	Series	iPB
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	40.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TO-263
	Series iPB
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 40.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPB80P04P407ATMA2

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is P-channel normal level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

Green package (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263

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