Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 22.4 A, 700 V N TO-263 IPB65R150CFDATMA2

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

4,30 €

(TVA exclue)

5,20 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 94,30 €
10 - 244,09 €
25 - 493,93 €
50 - 993,74 €
100 +3,48 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
258-3811
Référence fabricant:
IPB65R150CFDATMA2
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

22.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

40.7mΩ

Channel Mode

N

Forward Voltage Vf

1.2V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon 650V CoolMOS CFD2 is second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behaviour and therefore better EMI behaviour gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.

Easy to design-in

Lower price compared to 600V CFD technology

Low Qoss

Reduced turn on and turn of delay times

Outstanding CoolMOS quality

Liens connexes