Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 22.4 A, 700 V N TO-263
- N° de stock RS:
- 258-3810
- Référence fabricant:
- IPB65R150CFDATMA2
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 258-3810
- Référence fabricant:
- IPB65R150CFDATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 22.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | iPB | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40.7mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 22.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series iPB | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40.7mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 650V CoolMOS CFD2 is second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behaviour and therefore better EMI behaviour gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Easy to design-in
Lower price compared to 600V CFD technology
Low Qoss
Reduced turn on and turn of delay times
Outstanding CoolMOS quality
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