Infineon BSZ Type P, Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 20 V Dual, 8-Pin TSDSON

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

2 770,00 €

(TVA exclue)

3 350,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 08 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +0,554 €2 770,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
258-0720
Référence fabricant:
BSZ215CHXTMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type P, Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

BSZ

Package Type

TSDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

15mΩ

Channel Mode

Dual

Forward Voltage Vf

0.7V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon complementary power MOSFETs - an n-channel and a p-channel power MOSFET within the same package - are part of famous low voltage OptiMOS families, the market leader in high efficiency solutions for power generation, power supply and power consumption.

Complementary p- + n-channel

Enhancement mode

Avalanche rated

Qualified according to AEC Q101

Liens connexes