Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET, 40 A, 80 V N, 8-Pin TSDSON

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

2 220,00 €

(TVA exclue)

2 685,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 28 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +0,444 €2 220,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
258-0715
Référence fabricant:
BSZ084N08NS5ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

TSDSON

Series

BSZ

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.4mΩ

Channel Mode

N

Forward Voltage Vf

0.86V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

63W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS, IEC 61249-2-21

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS 5 80V industrial power MOSFET offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. The devices of this family are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, they can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapters.

Highest system efficiency

Reduced switching and conduction losses

Less paralleling required

Increased power density


Liens connexes