Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET, 158 A, 40 V N, 8-Pin TSDSON BSZ018N04LS6ATMA1
- N° de stock RS:
- 258-0710
- Référence fabricant:
- BSZ018N04LS6ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 258-0710
- Référence fabricant:
- BSZ018N04LS6ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 158A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TSDSON | |
| Series | BSZ | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.7mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.78V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 158A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TSDSON | ||
Series BSZ | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.7mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.78V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS 6 power MOSFET 40V family is optimized for a variety of applications and circuits, such as synchronous rectification in switched mode power supplies in servers, desktop PCs, wireless chargers, quick chargers and ORing circuits. Improvements in on-state resistance enable designers to increase efficiency, allowing easier thermal design and less paralleling, leading to system cost reduction.
Highest system efficiency
Less paralleling required
Increased power density
Very low voltage overshoot
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