Infineon BSC Type N-Channel MOSFET, 68 A, 120 V N, 8-Pin TDSON BSC120N12LSGATMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

3,34 €

(TVA exclue)

4,04 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 4 974 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 +1,67 €3,34 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
258-0697
Référence fabricant:
BSC120N12LSGATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

68A

Maximum Drain Source Voltage Vds

120V

Series

BSC

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

14.2mΩ

Channel Mode

N

Maximum Power Dissipation Pd

114W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.87V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS

Length

5.49mm

Height

1.1mm

Width

6.35 mm

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS 3 power MOSFETs in logic level are highly suitable for charging, adapter and telecom applications. The devices low gate charge reduces switching losses without compromising conduction losses. Logic level MOSFETs allow operations at high switching frequencies and due to a low gate threshold voltage can be driven directly from microcontrollers.

Low gate charge

Lower output charge

Logic level compatibility

Higher power density designs

Higher switching frequency

Liens connexes