Infineon BSC Type N-Channel MOSFET, 53 A, 60 V N, 8-Pin TDSON
- N° de stock RS:
- 258-7012
- Référence fabricant:
- BSC110N06NS3GATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*
1 400,00 €
(TVA exclue)
1 700,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 25 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,28 € | 1 400,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-7012
- Référence fabricant:
- BSC110N06NS3GATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 53A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | BSC | |
| Package Type | TDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 53A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series BSC | ||
Package Type TDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS 3 power transistor is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies, such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.
Very low on resistance RDS on
Ideal for fast switching applications
RoHS compliant
Highest system efficiency
Liens connexes
- Infineon N-Channel MOSFET 60 V PG-TDSON-8 BSC110N06NS3GATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 60 V PG-TDSON-8 BSC112N06LDATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 60 V PG-TDSON-8 BSC076N06NS3GATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 60 V PG-TDSON IPI029N06NAKSA1
- Infineon N-Channel MOSFET 60 V PG-TDSON IAUC120N06S5N017ATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 60 V PG-TDSON IAUC41N06S5L100ATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 60 V PG-TDSON IAUC120N06S5L032ATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 60 V PG-TDSON IPG20N06S4L11ATMA1
