Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 161 A, 40 V N, 8-Pin TDSON BSC019N04LSATMA1
- N° de stock RS:
- 258-0683
- Référence fabricant:
- BSC019N04LSATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 2 unités)*
2,76 €
(TVA exclue)
3,34 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 4 976 unité(s) expédiée(s) à partir du 08 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,38 € | 2,76 € |
| 20 - 48 | 1,235 € | 2,47 € |
| 50 - 98 | 1,175 € | 2,35 € |
| 100 - 198 | 1,08 € | 2,16 € |
| 200 + | 1,015 € | 2,03 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-0683
- Référence fabricant:
- BSC019N04LSATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 161A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | TDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.7mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 78W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 161A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type TDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.7mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Power Dissipation Pd 78W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS 40V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies such as those found in servers and desktops. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control and fast switching DC-DC converter.
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)
Ideal for fast switching applications
Highest system efficiency
Less paralleling required
Increased power density
System cost reduction
Liens connexes
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin TDSON BSC026N04LSATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON