Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 99 A, 60 V TO-252 IRLR3636TRLPBF
- N° de stock RS:
- 257-9458
- Référence fabricant:
- IRLR3636TRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
4,61 €
(TVA exclue)
5,58 €
(TVA incluse)
Ajouter 95 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
En stock
- 2 790 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,922 € | 4,61 € |
| 50 - 120 | 0,802 € | 4,01 € |
| 125 - 245 | 0,746 € | 3,73 € |
| 250 - 495 | 0,698 € | 3,49 € |
| 500 + | 0,506 € | 2,53 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9458
- Référence fabricant:
- IRLR3636TRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 99A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | HEXFET | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8.3mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 33nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 143W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 99A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series HEXFET | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8.3mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 143W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRLR series is the 60V single n channel power mosfet in a D-Pak package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface mount package
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR3636TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-252 IRFR3806TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-252 IRFR7540TRPBF