Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 43 A, 60 V TO-252
- N° de stock RS:
- 257-9408
- Référence fabricant:
- IRFR3806TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*
906,00 €
(TVA exclue)
1 096,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 2 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 0,453 € | 906,00 € |
| 4000 + | 0,43 € | 860,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9408
- Référence fabricant:
- IRFR3806TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 43A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15.8mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 71W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 43A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15.8mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 71W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFR series is the 60V single n channel power mosfet in a DPAK package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface mount package
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Liens connexes
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V DPAK IRFR3806TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin DPAK AUIRFR3806TRL
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V DPAK IRFR1018ETRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V DPAK IRLR3636TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V D²Pak IRFS4321TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin DPAK IRLR3636TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V, 3-Pin DPAK IRLR2905ZTRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin DPAK IRFS3306PBF
