Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.4 A, 20 V PQFN IRLHS6276TRPBF
- N° de stock RS:
- 257-5826
- Référence fabricant:
- IRLHS6276TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
4,84 €
(TVA exclue)
5,86 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 3 570 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,484 € | 4,84 € |
| 100 - 240 | 0,46 € | 4,60 € |
| 250 - 490 | 0,412 € | 4,12 € |
| 500 - 990 | 0,292 € | 2,92 € |
| 1000 + | 0,238 € | 2,38 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-5826
- Référence fabricant:
- IRLHS6276TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 65mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 9.6W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 9.6W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface-mount power package
Low RDS(on) in a small package
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V PQFN IRLHS6242TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V PQFN IRFH6200TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V PQFN IRLHM620TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN