Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 60 V TO-252 IRFR7540TRPBF

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257-5806
Référence fabricant:
IRFR7540TRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

HEXFET

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.8mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

140W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

86nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET power MOSFET is improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

Lead-free, RoHS compliant

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